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內容來自中時電子報
高通攜手中芯 攻28奈米
美國晶片廠高通與大陸晶圓代工廠中芯國際，昨（3）日共同宣布，將合作發展大陸的28奈米晶圓製造。高通過去在中芯國際所投片生產的產品是周邊電源管理、無線連結等晶片，並採用40奈米以下的成熟製程為主，而這次與中芯國際攜手發展28奈米先進製程，預料高通最快會在明年下半年將主要核心產品驍龍系列的處理器在中芯國際投片生產。外資分析師認線上教學網站 初級英文為，高通此舉主要是試圖減輕受到大陸政府調查其反壟斷案的因素所致，加上全球28奈米產能吃緊，因此該合作案在短期內，對台積電、格羅方德、聯電等晶圓代工廠並無影響，同時，也不會對高通的主要競爭對手聯發科形成壓力。中芯國際與高通昨日透過共同新聞稿表示，高通技術公司是全球最大的無晶圓廠半導體供應商之一，並且是全球3G、4G及下一代無線技術的領軍企業，其驍龍處理器專為行動終端裝置（主要是智慧型手機）而設計。雙方的合作將會提升中芯國際在28奈米製程的成熟度以及產能，也將使其成為大陸本土率先以28奈米的多晶矽（PolySiON）和28奈米的高介電常數金屬閘極（HKMG）製程，為美國高通技術公司生產製造部分最新的驍龍處理器晶片的半導體代工企業。目前高通已在中芯國際投片生產的晶片包括電源管理IC、無線連結IC，現在在28奈米技術上及晶圓製造服務達成新的合作，未來，中芯國際還會將其技術延伸到3D IC以及射頻前端（RF front-end）的晶圓製造製程，以支援高通主要核心業務驍龍系列的產品組合。
新聞來源http://www.chinatimes.com/newspapers/20140704000118-260204
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